资本与技术相融合,助力基合新征程

企业动态

资本与技术相融合,助力基合新征程

在2023年即将收官之际,基合半导体(宁波)有限公司(以下简称“基合”)成功完成了新一轮的融资!这是公司发展历程中的一个重要里程碑,也是我们未来发展的新起点。

     本轮融资由盈峰投资领投、石溪资本跟投,融资金额数千万元。其中,盈峰基金是美的控股的直投基金,石溪资本是由集成电路存储龙头企业兆易创新和半导体产业资深人士发起设立的产业资本。本轮融资除了融入资金外,更重要的是为基合引入了产业资源与战略支持,为基合在关键产品和核心市场上的突破提供助力,为基合的未来发展提供更多的机会和资源。本次资金将主要用于芯片研发和迭代、团队发展建设及市场推动等方向。

     基合半导体(宁波)有限公司是一家专注于系统创新的芯片设计公司,提供基于C-SAFE精确电容检测技术的全新智能触控和镜头马达驱动芯片系列产品,不断为行业提供更优性能、更佳体验的芯片与系统解决方案。   

      此次融资,不仅是对我们过去努力的肯定,也是对公司未来发展的期许。我们将继续秉持着诚信、专业、创新、高效的价值观,为市场和客户创造更大价值。

资本与技术相融合,助力基合新征程

企业动态

资本与技术相融合,助力基合新征程

在2023年即将收官之际,基合半导体(宁波)有限公司(以下简称“基合”)成功完成了新一轮的融资!这是公司发展历程中的一个重要里程碑,也是我们未来发展的新起点。

     本轮融资由盈峰投资领投、石溪资本跟投,融资金额数千万元。其中,盈峰基金是美的控股的直投基金,石溪资本是由集成电路存储龙头企业兆易创新和半导体产业资深人士发起设立的产业资本。本轮融资除了融入资金外,更重要的是为基合引入了产业资源与战略支持,为基合在关键产品和核心市场上的突破提供助力,为基合的未来发展提供更多的机会和资源。本次资金将主要用于芯片研发和迭代、团队发展建设及市场推动等方向。

     基合半导体(宁波)有限公司是一家专注于系统创新的芯片设计公司,提供基于C-SAFE精确电容检测技术的全新智能触控和镜头马达驱动芯片系列产品,不断为行业提供更优性能、更佳体验的芯片与系统解决方案。   

      此次融资,不仅是对我们过去努力的肯定,也是对公司未来发展的期许。我们将继续秉持着诚信、专业、创新、高效的价值观,为市场和客户创造更大价值。

基础知识解析|芯片自动化检测的工具与方法

新品发布

基础知识解析|芯片自动化检测的工具与方法

沙子,经过一系列的过程变成了硅片;

硅片,经历一系列的工序成为了芯片。

而在芯片量产的最后一个阶段,需测试其在各种环境下的电气特性,这便是我们本次所要聊的内容。

原文链接

 

 

 

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诗意金秋|第二届基合摄影大赛优秀作品展

企业活动

诗意金秋|第二届基合摄影大赛优秀作品展

长风万里

丹桂飘香

叶落而知秋

初秋仿若妙手丹青 挥毫泼墨间

大地展开了被描绘得五彩斑斓的画卷


2023年10月

公司举办了第二届基合摄影大赛

放下了繁忙而紧张的工作 一起走进秋天

轻捻一片泛黄的树叶

细嗅沁人心脾的桂香

倾听秋雨敲打的乐章

置身于秋天的童话中

用镜头定格这美好的一刻

本次大赛涌现出了许多精彩的作品

生活中充满了美好的瞬间

用心去感悟,记录这片刻永恒

平凡的日子里

你我皆是生活里的艺术家

2023年10月31日

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基础知识解析|STI/WPE效应的介绍、仿真和改善

技术科普

基础知识解析|STI/WPE效应的介绍、仿真和改善

在0.18um工艺以前,我们不需要考虑太多工艺带来的影响,但是在深亚微米工艺的发展中,随着工艺制程的提升,制造工艺对电路设计的影响越来越大,其中,影响较大的有STI/WPE效应,这需要我们在设计过程中提前考虑它们对电路的影响。本文将分别对STI和WPE效应进行介绍,仿真和给出合适的方法进行改善。

STI压力效应

1、效应介绍

STI(Shallow Trench Isolation)压力效应就是浅槽隔离压力效应,如图1所示。在先进的CMOS工艺制程中,常见的方式是用STI来做有源器件的隔离,形成绝缘侧壁。STI是利用高度各向异性反应离子刻蚀,在表面切出了一个垂直的凹槽,该凹槽的侧壁会被氧化,然后淀积多晶硅填满凹槽,浅槽在产生的过程中,对MOS器件的距离不同而产生的压应力也不同,导致了器件性能的不同。

STI效应在版图上表现为Sa和Sb,Sa和Sb的距离表示为栅极到有源区边界的距离,如图2所示。STI效应对器件的性能有较大的影响,主要体现在MOS器件的阈值电压Vth和电子迁移率Ueff上,因此在仿真器件性能时必须考虑该效应。

2、效应仿真

下面通过仿真对STI效应进行深入了解,设置MOS器件的宽长比一定,即W/L=25u/0.28u,横轴为Sa=Sb=0.01u、0.1u、0.5u、1u、2u、4u、8u、15u、30u,观察MOS管阈值电压Vth和电子迁移率Ueff的变化情况,如图3所示,其中,红色为PMOS,蓝色为NMOS。

根据图像可知,MOS管的阈值电压Vth随Sa(Sb)增大而变得稳定,在Sa(Sb)≥2u时,MOS的Vth误差在2%以内;NMOS的电子迁移率Ueff随Sa(Sb)增大而增大,PMOS的电子迁移率Ueff随Sa(Sb)增大而减小,在Sa(Sb)≥2u时,Ueff误差在2.5%以内,逐渐稳定。

3、效应改善

因此在设计之前,需要预估Sa和Sb的值,进行仿真调试,使其达到最优;对于对称性较高的电流镜,差分对等,采用整数倍设计方法,有助于提升制造的对称性,降低STI效应;尽量保证PMOS衬底接电源,NMOS衬底接地,降低阱的个数,进而降低STI效应;在版图绘制中,可以提高MOS管源漏的共用降低STI效应,如图4所示;或者增加dummy器件,使关键器件远离阱边缘,增大MOS管源漏面积,降低STI效应。

WPE效应

1、效应介绍

WPE(Well Proximity Effect)效应是指在离子注入制造工艺时,离子从掩膜板边沿扩散,在阱边缘附近的表面浓度较大,随着距离掩膜板的距离越远,阱的掺杂浓度越低,整个阱的掺杂浓度不均匀,如图所示。

  WPE效应在版图上表现为Sc,Sc的距离表示为栅极到阱边界的距离,如图2所示。由于WPE效应会造成阱掺杂浓度的不均匀,这会影响到MOS管阈值电压Vth以及电子迁移率Ueff,因此在电路设计中必须考虑该效应。

2、效应仿真

下面通过仿真对WPE效应进行深入了解,设置MOS器件的宽长比一定,即W/L=25u/0.28u,横轴为Sc=0.01u、0.1u、0.5u、1u、2u、4u、8u、15u、30u,观察MOS管阈值电压Vth和电子迁移率Ueff的变化情况,如图6所示,其中,红色为PMOS,蓝色为NMOS。

根据图像可知,MOS管的阈值电压vth随Sc增大而减小,逐渐稳定,当Sc≥1u时,MOS的Vth误差在1%以内;MOS管的Ueff随Sc增大而增大,在Sc≥1u时,Ueff误差在0.1%以内,逐渐稳定。

3、效应改善

在设计之前,可以通过预估Sc的值进行仿真调试,使设计达到最优;对于对称性较高的电流镜,差分对等,采用整数倍设计方法,有助于提升制造的对称性,降低WPE效应;尽量保证PMOS衬底接电源,NMOS衬底接地,降低阱的个数,进而降低WPE效应对MOS管的影响;在版图布局规划阶段,优化阱的布局以减小阱的个数,比如将同一电位的器件放在一个阱里面,这样可以减小或避免WPE效应,如图7所示,右侧布局相较左侧布局更好,合并了相同的2.5V的阱形成一个大阱,从而降低WPE效应;或者将关键器件放置在离阱的边界比较远的地方,这样可以减小或避免WPE效应;增加dummy器件,使关键器件远离阱边缘,也可以有效降低WPE效应。

STI和WPE效应在深亚微米制造工艺中是必不可少需要考虑的因素,尤其是在广泛使用纳米工艺的今天,这两种效应带来的影响越来越大。如果在设计中不加以考虑,芯片可能会面临性能上的降低,甚至是无法工作。因此我们需要在设计前预估影响,设计中降低影响,设计后验证,从而降低产品研发周期,降低成本。在愈发先进的工艺设计中,IP设计受到的影响因素也越来越多,因此对设计者来说,了解工艺变得尤为重要。

2023年4月27日

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宁波创投引导基金5家已投项目企业入选国家级第四批专精特新“小巨人”企业名单

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宁波创投引导基金5家已投项目企业入选国家级第四批专精特新“小巨人”企业名单

近日,工信部公示了第四批专精特新“小巨人”企业名单,宁波共有101家企业入选。其中,宁波创投引导基金已投项目中共有5家企业上榜。

1、宁波群芯微电子股份有限公司

成立于2018年7月,是国内第一家专注光耦和光传感研发与集成电路应用的产品公司,产品广泛应用于电源管理、智能仪表、智能家居、移动互联、智能汽车、智能穿戴设备等领域。

2、宁波惠尔顿婴童安全科技股份有限公司

成立于2003年12月,专业从事自主研发中高端汽车儿童安全座椅,占地面积近50亩,员工总数500余人,其中产品开发工程师及技术人员30余人,国内外销售人员近100人。

3、浙江明磊锂能源科技股份有限公司

成立于2003年7月,主要产品为锂电类可充电无绳电动工具,公司以专业电动工具制造企业为目标,定位中高端市场,不断强化核心部件自主研发能力,建有宁波市企业工程(技术)中心、省级博士后工作站,计划今年向深圳证券交易所提交创业板上市申报材料。

4、立芯科技股份有限公司

成立于2012年12月,RFID(射频识别)硬件产品和物联网行业解决方案提供商,致力于提供物联网行业解决方案、工业4.0以及高品质RFID产品设计制造服务,可基于RFID应用需求提供定制化产品。

5、基合半导体(宁波)有限公司

成立于2017年11月,由中美两国优秀技术市场团队创立。公司专注研发智能驱动与精准探测SoC解决方案,在MCU、射频前端、模拟混合信号、算法、嵌入式软件等方面拥有完整的设计团队和国内领先的综合设计能力。主要产品包括智能触控芯片、摄像头马达驱动芯片、电源管理芯片和毫米波芯片。

“专精特新”是国家为引导中小企业走专业化、精细化、特色化、新颖化发展之路,增强自主创新能力和核心竞争力,不断提高中小企业发展质量和水平而实施的重大工程。专精特新“小巨人”企业是指科技创新能力强、市场占有率高、质量效益优的“小而强”“小而优”企业。

截至8月,在市创投引导基金所投项目中,我市已累计有18家项目入选国家级专精特新“小巨人”企业名单。

2022年8月24日

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关于2020年度宁波市科创板拟上市企业储备库入库企业名单的公示

企业动态

关于2020年度宁波市科创板拟上市企业储备库入库企业名单的公示

 根据《关于科技金融助推企业科创板上市的指导意见(试行)(甬科高〔201971)要求,经区县()推荐,组织宁波市天使投资引导基金有限公司、宁波市股权交易中心有限公司联合走访尽调,以及市科技、金融和财政等三部门会商,现将本批18家科创板拟上市企业储备库入库企业名单予以公示。公示时间7天,自915日至921日。

  对公示企业有异议的,请于公示期内向我局以实名、书面形式提出,并署联系人姓名及联系方式;异议问题应有清楚的表述并提供相关事实证据。对于收到的异议材料,我们将按照有关规定依法办理。

联系人:

孙春来    电话:89292202

胡学超    电话:89292180

传真:89292222

地址:宁波市鄞州区宁穿路2001

宁波市科学技术局

原文链接

2020914

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